WEKO3
インデックスリンク
アイテム
チャージポンピング法によるMOS界面準位密度の測定
https://fukuyama-u.repo.nii.ac.jp/records/8164
https://fukuyama-u.repo.nii.ac.jp/records/8164582a977a-96d8-47e9-a2ca-c824f3434f05
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KJ00005781560.pdf (787.4 kB)
|
|
| Item type | 紀要論文(ELS) / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2004-12-01 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | チャージポンピング法によるMOS界面準位密度の測定 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Measurement of interface state density in MOSFETs by charge-pumping technique | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | チャージポンピング法 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 界面準位 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | MOS | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 捕獲断面積 | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | charge-pumping technique | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | interface state | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | MOS | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | capture cross section | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| ページ属性 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | P(論文) | |||||
| 著者名(日) |
三宅, 雅保
× 三宅, 雅保 |
|||||
| 著者名よみ | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 43818 | |||||
| 姓名 | ミヤケ, マサヤス | |||||
| 著者名(英) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 43819 | |||||
| 姓名 | MIYAKE, Masayasu | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 値 | 福山大学工学部電子・電気工学科 | |||||
| 著者所属(英) | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | Department of Electronic and Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Fukuyama University | |||||
| 抄録(英) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | Charge-pumping technique for the determination of interface state density in MOSFETs has been studied. Interface state density is directly determined from charge-pumping currents that arise from trapping and emission of carriers by interface states. Experimental results for dependences of charge-pumping currents on measurement conditions are presented. Charge-pumping currents for square pulses are larger than those for triangular pulses. This is due to the mechanism that the range of energy levels of interface states, which give rise to charge-pumping currents, depends on a rise time and a fall time of pulses. Considering the mechanism, interface state density and capture cross sections are accurately determined. | |||||
| 雑誌書誌ID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00217655 | |||||
| 書誌情報 |
福山大学工学部紀要 巻 28, p. 9-17, 発行日 2004-12 |
|||||
