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InAlAs/InGaAs/InAlAsの高電界輸送特性
https://fukuyama-u.repo.nii.ac.jp/records/7910
https://fukuyama-u.repo.nii.ac.jp/records/791014d81caa-d743-4106-907c-67483f2798bd
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KJ00005781278.pdf (262.1 kB)
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| Item type | 紀要論文(ELS) / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 1994-03-01 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | InAlAs/InGaAs/InAlAsの高電界輸送特性 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | High Field Transport Properties in InAlAs/InGaAs/InAlAs | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | InGaAs | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Highfield | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Transport | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| ページ属性 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | P(論文) | |||||
| 著者名(日) |
坂井, 英幸
× 坂井, 英幸× 相島, 亜洲雄 |
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| 著者名よみ | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 42498 | |||||
| 姓名 | サカイ, ヒデユキ | |||||
| 著者名よみ | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 42499 | |||||
| 姓名 | アイシマ, アスオ | |||||
| 著者名(英) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 42500 | |||||
| 姓名 | Sakai, Hideyuki | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者名(英) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 42501 | |||||
| 姓名 | Aishima, Asuo | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 値 | 福山大学工学部 | |||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 値 | 福山大学工学部 | |||||
| 抄録(英) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | High field transport properties in InAlAs-InGaAs-InAlAs double hetero structures are clarified. First, wave functions in InGaAs layers are calculated self consistently. Then, various scattering rates such as acoustic phonon, polaroptical phonon, inter-valley phonon, impurity, alloy scatterings are calculated using electron wave functions. Real space ensemble Monte Carlo simulations are performed to clarify the velocity-field characteristics and diffusion constants. Such results are useful for designing the InGaAs HEMT. | |||||
| 雑誌書誌ID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00217655 | |||||
| 書誌情報 |
福山大学工学部紀要 巻 17, 号 2, p. 33-37, 発行日 1994-03 |
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