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半導体デバイス特性への光照射効果の数値計算
https://fukuyama-u.repo.nii.ac.jp/records/8257
https://fukuyama-u.repo.nii.ac.jp/records/8257fc316437-cb2c-49c8-b517-4ea6da37652b
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KJ00005781672.pdf (665.1 kB)
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| Item type | 紀要論文(ELS) / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2006-12-01 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 半導体デバイス特性への光照射効果の数値計算 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Numerical Simulation of Light Illumination Effects on Semiconductor Device Characteristics | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 半導体デバイス | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 光照射 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 数値計算 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | pn接合 | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | semiconductor device | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | light illumination | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | numerical simulation | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | pn junction | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| ページ属性 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | P(論文) | |||||
| 著者名(日) |
三宅, 雅保
× 三宅, 雅保 |
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| 著者名よみ | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 44402 | |||||
| 姓名 | ミヤケ, マサヤス | |||||
| 著者名(英) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 44403 | |||||
| 姓名 | MIYAKE, Masayasu | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 値 | 福山大学工学部電子・電気工学科 | |||||
| 著者所属(英) | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | Department of Electronic and Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Fukuyama University | |||||
| 抄録(英) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | Light illumination effects on semiconductor device characteristics are investigated by numerical simulation. Numerical solutions for Poisson equation, current equations and continuity equations are obtained using the finite difference method. Depth profiles of potentials, current densities and carrier concentrations are evaluated for Si pn junctions under illumination. Physical mechanisms in semiconductors can be understood referring to calculated results. | |||||
| 雑誌書誌ID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00217655 | |||||
| 書誌情報 |
福山大学工学部紀要 巻 30, p. 27-35, 発行日 2006-12 |
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