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小信号アドミッタンス計算による埋め込みチャネルMOSキャパシタのC-V特性
https://fukuyama-u.repo.nii.ac.jp/records/8209
https://fukuyama-u.repo.nii.ac.jp/records/8209a01a0615-94e2-4696-8822-2d13fb71817e
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KJ00005781624.pdf (682.2 kB)
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| Item type | 紀要論文(ELS) / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2005-12-01 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 小信号アドミッタンス計算による埋め込みチャネルMOSキャパシタのC-V特性 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | C-V Characteristics of Buried-Channel MOS Capacitors by Small-Signal Admittance Calculation | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | C-V特性 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 埋め込みチャネルMOS | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 小信号アドミッタンス | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 交流解 | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | C-V characteristics | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | buried-channel MOS | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | small-signal admittance | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | ac solution | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| ページ属性 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | P(論文) | |||||
| 著者名(日) |
三宅, 雅保
× 三宅, 雅保 |
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| 著者名よみ | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 44100 | |||||
| 姓名 | ミヤケ, マサヤス | |||||
| 著者名(英) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 44101 | |||||
| 姓名 | MIYAKE, Masayasu | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 値 | 福山大学工学部電子・電気工学科 | |||||
| 著者所属(英) | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | Department of Electronic and Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Fukuyama University | |||||
| 抄録(英) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | Capacitance-voltage (C-V) characteristics of buried-channel MOS capacitors have been studied by small-signal admittance calculation. A numerical method for small-signal ac solutions of equations describing device electrical characteristics is presented. Using the method, the peculiar high-frequency C-V characteristics for buried-channel MOS capacitors are explained. It is found that the capacitance depends on measurement frequency in the accumulation region for buried-channel devices when the counter-doped layer is deep or the impurity concentration of the counter-doped layer is high. Depth profiles of various ac variables, such as current densities and carrier concentrations, are also calculated. | |||||
| 雑誌書誌ID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00217655 | |||||
| 書誌情報 |
福山大学工学部紀要 巻 29, p. 15-23, 発行日 2005-12 |
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