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電子波の干渉効果を用いたスウィッチングデバイスの提案
https://fukuyama-u.repo.nii.ac.jp/records/8043
https://fukuyama-u.repo.nii.ac.jp/records/8043056c3ec7-47cd-4dd8-8187-bfa37df0d7cc
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KJ00005781423.pdf (526.3 kB)
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| Item type | 紀要論文(ELS) / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 1999-10-01 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 電子波の干渉効果を用いたスウィッチングデバイスの提案 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | A Proposal of Switching Devices Utilizing Interference effects of Electron Waves | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 超格子 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | ガリウム砒素 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | スウィッチ | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 量子効果 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 干渉 | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Superlattice | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | GaAs | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Switch | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Quantum effect | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Interference | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| ページ属性 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | P(論文) | |||||
| 著者名(日) |
相島, 亜洲雄
× 相島, 亜洲雄 |
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| 著者名よみ | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 43107 | |||||
| 姓名 | アイシマ, アスオ | |||||
| 著者名(英) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 43108 | |||||
| 姓名 | AISIMA, Asuo | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 値 | 福山大学工学部電子・電気工学科 | |||||
| 抄録(英) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | A new switching device utilizing the quantum interference effects is proposed. AlGaAs-GaAs superlattice exhibits strong quantum interference effects due to quantum mechanical reflection at respective conduction band potential step. In AlGaAs-GaAs layered structures, the pass band, the stop band ,and the pass band appears with increasing electron energy. Electron energy can be modulated by the gate voltage. Therefore, the transmission coefficient of electrons wave is changed by the gate voltage. Thus, electronwaves transmit for some range of the gate voltage and reflected for the other gate voltage. This nature can be applied for realizing a new switching device. | |||||
| 雑誌書誌ID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00217655 | |||||
| 書誌情報 |
福山大学工学部紀要 巻 23, p. 9-14, 発行日 1999-10 |
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