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量子干渉効果を利用した負性抵抗デバイスの一提案
https://fukuyama-u.repo.nii.ac.jp/records/7893
https://fukuyama-u.repo.nii.ac.jp/records/789327542123-ad60-4980-9606-065d57e21eb9
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KJ00005781285.pdf (348.2 kB)
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| Item type | 紀要論文(ELS) / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 1993-09-01 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 量子干渉効果を利用した負性抵抗デバイスの一提案 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | A Proposal of Negative Resistance Devices owing to Quantum Interferrence Effect | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| ページ属性 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | P(論文) | |||||
| 著者名(日) |
相島, 亜州雄
× 相島, 亜州雄× 吉田, 直樹 |
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| 著者名よみ | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 42448 | |||||
| 姓名 | アイシマ, アスオ | |||||
| 著者名よみ | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 42449 | |||||
| 姓名 | ヨシダ, ナオキ | |||||
| 著者名(英) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 42450 | |||||
| 姓名 | Aishima, ASUO | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者名(英) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 42451 | |||||
| 姓名 | YOSHIDA, Naoki | |||||
| 言語 | en | |||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 値 | 福山大学工学部電子・電気工学科 | |||||
| 著者所属(日) | ||||||
| 値 | 福山大学工学部電子・電気工学科 | |||||
| 抄録(英) | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | Transmission Coefficient-electron energy characteristics in AlGaAs-GaAs compositival superlattices are calculated. Injecting electrons from AlGaAs cathode to GaAs layer, electrons are reflected slightly at the AlGaAs-GaAs interface. Increasing superlattice cycle, largequantum interference effect appears due to quantum mechanical reflection at respective interface. New negative resistance in AlGaAs-GaAs superlattices owing to quantum interference effects is proposed and analysed. Physics behind negative resistance are discussed. | |||||
| 雑誌書誌ID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00217655 | |||||
| 書誌情報 |
福山大学工学部紀要 巻 17, 号 1, p. 25-29, 発行日 1993-09 |
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