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InGaAsの高電界輸送特性の解析
https://fukuyama-u.repo.nii.ac.jp/records/7861
https://fukuyama-u.repo.nii.ac.jp/records/786135c50498-a452-4337-b432-48ebdb122e10
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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![]() |
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Item type | 紀要論文(ELS) / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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公開日 | 1993-01-01 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | InGaAsの高電界輸送特性の解析 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | An Analysis of High Field Transport Properties in InGaAs | |||||
言語 | en | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
ページ属性 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | P(論文) | |||||
著者名(日) |
坂井, 英幸
× 坂井, 英幸× 相島, 亜洲雄 |
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著者名よみ | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 42294 | |||||
姓名 | サカイ, ヒデユキ | |||||
著者名よみ | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 42295 | |||||
姓名 | アイシマ, アスオ | |||||
著者名(英) | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 42296 | |||||
姓名 | SHAKAI, Hideyuki | |||||
言語 | en | |||||
著者名(英) | ||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
識別子 | 42297 | |||||
姓名 | AISHIMA, Ashuo | |||||
言語 | en | |||||
著者所属(日) | ||||||
値 | 福山大学工学部電子・電気工学科 | |||||
著者所属(日) | ||||||
値 | 福山大学工学部電子・電気工学科 | |||||
抄録(英) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | InGaAs is one of the most promising compound semiconductors for the application in the field of high speed signal processings. In order to carry out the efficient design of such InGaAs devices, it is nesesarry to know the velocity-field characteristics and diffusion constant in InGaAs. Ensemble monte carlo simulations are carried out to ascertain the velocity-field characteristics and magnitudes of the parallel and perpendicular diffusion constants in InGaAs. | |||||
雑誌書誌ID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AN00217655 | |||||
書誌情報 |
福山大学工学部紀要 巻 15, p. 45-53, 発行日 1993 |